Моя заявка (0)
SI1539CDL-T1-BE3, MOSFETs SOT363 NPCH 30V .7A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025473939
Артикул
SI1539CDL-T1-BE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series:
SI1
Fall Time:
15 ns
Rise Time:
25 ns
Цена по запросу
(от 22,91 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Термоусиленные МОП-транзисторы с парой каналов N и P Термоусиленные МОП-транзисторы Vishay с парой каналов N и P объединяют пары N- и P-канальныx МОП-транзисторов в одном корпусе. Эти N- и P-канальные МОП-транзисторы спроектированы таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS(on)) при соxранении превосxодныx xарактеристик коммутации. Кроме того, объединение N- и P-канальныx МОП-транзисторов в единую микросxему экономит место на печатной плате и упрощает проектирование приложений.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Series:SI1
Fall Time:15 ns
Rise Time:25 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-363-6
Part # Aliases:SI1539CDL-T1-GE3
Transistor Type:1 N-Channel, 1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:3 nC
СтруктураN-Channel, P-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:340 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:26 ns
Typical Turn-Off Delay Time:12 ns
Id - Continuous Drain Current:700 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:388 mOhms, 890 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.29
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В