Моя заявка (0)

SI1443EDH-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Surface Mount

SI1443EDH-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8691546515
Артикул
SI1443EDH-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.135
Длина
2.1 mm
Серия
SI1
Высота
1 mm
Цена по запросу
(от 85 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -30V Vds 12V Vgs SC70-6

Технические параметры

Вес, г0.135
Длина2.1 mm
СерияSI1
Высота1 mm
КорпусSOT-363
Ширина1.25 mm
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада435 ns
Power Dissipation (Pd)1.6W;2.8W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)28nC@10V
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокSOT-363-6
Continuous Drain Current (Id)4A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора28 nC
Время нарастания220 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности2.8 W
Другие названия товара №SI1443EDH-GE3
Id - непрерывный ток утечки4 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток43 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе1.5V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения1115 ns
Типичное время задержки при включении125 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.14 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)54mΩ@4.3A, 10V

Техническая документация