SI1442DH-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062885997
- Артикул
- SI1442DH-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SC70-6, SOT363
- Mounting
- SMD
- Technology
- TrenchFET®
- Вес, г
- 0.03
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 12V Vds 8V Vgs SC70-6
Технические параметры
| Case | SC70-6, SOT363 |
| Mounting | SMD |
| Technology | TrenchFET® |
| Вес, г | 0.03 |
| Gate charge | 33nC |
| Серия: | SI1 |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | SC-70 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 4A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power Dissipation | 2.8Вт |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 30mΩ |
| Drain-source voltage | 12V |
| Pulsed drain current | 20A |
| Технология: | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 1.56W;2.8W |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 9 ns |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 33nC@8V |
| Производитель: | Vishay |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.01nF@6V |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Торговая марка: | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок: | SOT-363-6 |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора: | 33 nC |
| Drain Source On State Resistance | 0.017Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Время нарастания: | 13 ns |
| Линейка Продукции | Trench |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.8Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 400мВ |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 1.56 W |
| Другие названия товара №: | SI1442DH-T1-BE3 SI1442DH-GE3 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Id - непрерывный ток утечки: | 4 A |
| Коммерческое обозначение: | TrenchFET |
| Напряжение Истока-стока Vds | 12В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 20 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 12 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.017Ом |