SI1427EDH-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -8A; 1.8W; SC70
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060777520
- Артикул
- SI1427EDH-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 2.3 us
- Rise Time:
- 1 us
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 62,34 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковый моп-транзистор Vishay Semiconductor P-channel 20 В (D-S) с типичной производительностью ESD 2000 В. Его применение - переключение нагрузки для портативныx устройств, такиx как сотовый телефон, DSC, портативная игровая консоль, MP3, GPS и встроенная защита от электростатического разряда со стабилитроном.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 2.3 us |
| Rise Time: | 1 us |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | SC-70 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI1427EDH-T1-BE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 21 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.56 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 0.09 us |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 4 us |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 165 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |