SI1416EDH-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,9А; Idm: 15А; 1,8Вт; SC70
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017565995
- Артикул
- SI1416EDH-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 7.5 nC
- V(DS)
- 30 V
- Width
- 1.35mm
- P(tot)
- 2.8 W
Цена по запросу
(от 45,85 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 12V Vgs SC70-6
Технические параметры
| Q(g) | 7.5 nC |
| V(DS) | 30 V |
| Width | 1.35mm |
| P(tot) | 2.8 W |
| Package | SOT-363 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 0.05 |
| Серия | SI1 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 58 mOhm |
| I(D)at Tc=25°C | 3.9 A |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 50 ns |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 2.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 77 mΩ |
| Время нарастания | 30 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.9 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.8 W |
| Другие названия товара № | SI1410EDH-T1-E3-S SI1410EDH-T1-GE3 SI1426DH-T1-E3- |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.9 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 58 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 1.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.9 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |