SI1416EDH-T1-BE3, MOSFETs SOT363 N-CH 30V 3.9A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025616400
- Артикул
- SI1416EDH-T1-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 50 ns
- Rise Time:
- 30 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V N-CHANNEL (D-S)
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 50 ns |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 1 |
| Серия | SI1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | SI1416EDH-T1-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 2.8Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 45 ns |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.56 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.5 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SC-70-6 |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Qg - заряд затвора | 3.5 nC |
| Время нарастания | 60 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.047Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 58 mOhms |
| Линейка Продукции | TrenchFET Series |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Непрерывный Ток Стока | 3.9А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.8Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.4В |
| Pd - рассеивание мощности | 1.56 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.9 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 58 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.047Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |