SI1411DH-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -150В, -0,38А, 0,81Вт, SC70-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021884918
- Артикул
- SI1411DH-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series
- TrenchFET
- Series:
- SI1
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 92,44 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальный силовой МОП-транзистор Vishay Siliconix серии SI1411DH TrenchFET имеет напряжение стока к источнику 150 В.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series | TrenchFET |
| Series: | SI1 |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-363 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sc70-6 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | SI1411DH-T1-BE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 520 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.6 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 520 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 0.81 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.38 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.81 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |