Моя заявка (0)

TrenchFET P-Channel MOSFET, 520 mA, 150 V, 6-Pin SOT-363 SI1411DH-T1-GE3

TrenchFET P-Channel MOSFET, 520 mA, 150 V, 6-Pin SOT-363 SI1411DH-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017301901
Артикул
SI1411DH-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Series
TrenchFET
Series:
SI1
Pin Count
6
Цена по запросу
(от 80,85 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канальный силовой МОП-транзистор Vishay Siliconix серии SI1411DH TrenchFET имеет напряжение стока к источнику 150 В.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
SeriesTrenchFET
Series:SI1
Pin Count6
Fall Time:11 ns
Rise Time:11 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-363
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-363
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-363-6
Part # Aliases:SI1411DH-T1-BE3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:6.3 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:4.5 ns
Maximum Drain Source Voltage150 V
Typical Turn-Off Delay Time:9 ns
Id - Continuous Drain Current:520 mA
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance2.6 O
Maximum Continuous Drain Current520 mA
Rds On - Drain-Source Resistance:2.7 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.52
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация