Моя заявка (0)

SI1401EDH-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -25A; 1.8W; SC70

SI1401EDH-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -25A; 1.8W; SC70

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070078934
Артикул
SI1401EDH-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
TrenchFET
Pin Count
6
Вес, г
0.1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 48,56 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канальный МОП-транзистор Vishay для поверxностного монтажа - это продукт нового поколения с напряжением сток-исток 12 В и максимальным напряжением затвор-исток 10 В.

Технические параметры

SeriesTrenchFET
Pin Count6
Вес, г0.1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-363
Mounting TypeSurface Mount
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage12 V
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance0.034 O
Maximum Continuous Drain Current4 A

Техническая документация