SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор, N-MOSFET, 30В, 1.5А, 0.5Вт, 0.132Ом [SOT-323.]
![SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор, N-MOSFET, 30В, 1.5А, 0.5Вт, 0.132Ом [SOT-323.]](https://static.epl-electro.ru/lib/288/DOC005288140.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000436272
- Артикул
- SI1308EDL-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.05
- Корпус
- sot-323
- Структура
- MOSFET
- Крутизна характеристики, S
- 17
Цена по запросу
(от 27,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
; Максимальное пороговое напряжение на затворе-источнике: 600 мВ; Рассеиваемая мощность: 500 МВт; Количество контактов Количество контактов: 3 Соответствует требованиям Rohs: No |Vishay SI1308EDL-T1-GE3.
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Корпус | sot-323 |
| Структура | MOSFET |
| Крутизна характеристики, S | 17 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |