SI1308EDL-T1-BE3, 30V 1.5A 132m @10V 500mW 1.5V@250uA 1 N-Channel SC-70-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048228180
- Артикул
- SI1308EDL-T1-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SI1
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 13 ns
Цена по запросу
(от 53,71 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-CH, 30 В, 1,4 А, SC-70; Тип канала:N-канальный; Напряжение источника стока Vds:30 В; Постоянный ток стока Id:1,4 А; Крепление транзистора: Поверxностное крепление; Тестовое напряжение Rds(включено): 10 В; Затворный источник Thresho 36AJ8049
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SI1 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Part # Aliases: | SI1308EDL-T1-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.7 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 132 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |