Моя заявка (0)

SI1079X-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Surface Mount

SI1079X-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012539773
Артикул
SI1079X-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Корпус
SC-89
Упаковка
Reel, Cut Tape
Структура
P-Channel
Цена по запросу
(от 82 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -30V Vds 12V Vgs SC89-6

Технические параметры

Вес, г1
КорпусSC-89
УпаковкаReel, Cut Tape
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокSC-89-6
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора26 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности330 mW
Id - непрерывный ток утечки1.44 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток140 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе900mV@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.44
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.083 Ом