SI1050X-T1-GE3, SC-89-6 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017642124
- Артикул
- SI1050X-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.02
- Серия
- SI1
- Корпус
- SC-89
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 53,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 8V Vds 5V Vgs SC89-6
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | SI1 |
| Корпус | SC-89 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 236mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11.6nC@5V |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SC-89-6 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 585pF@4V |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.34A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7.7 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 236 mW |
| Другие названия товара № | SI1050X-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.34 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 86 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 8 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 350 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.12 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 86mΩ@1.34A, 4.5V |