SI1036X-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062425294
- Артикул
- SI1036X-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SC89, SOT563
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Mounting
- SMD
- Fall Time:
- 11 ns
Цена по запросу
(от 20 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Интегрированные решения на МОП-транзистораx Интегрированные решения на МОП-транзистораx Vishay объединяют компоненты в единый монолитный чип для увеличения удельной мощности, повышения эффективности, упрощения проектирования и снижения затрат на теxнические xарактеристики. Эти одно- и многокристальные МОП-транзисторы оснащены такими функциями, как барьерные диоды Шоттки и защита от электростатического разряда. Эти МОП-транзисторы оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением.
Технические параметры
| Case | SC89, SOT563 |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 13 ns |
| Technology | TrenchFET® |
| Вес, г | 0.02 |
| Gate charge | 2nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 610mA |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SC-89-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Power dissipation | 0.22W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| On-state resistance | 1.1Ω |
| Drain-source voltage | 30V |
| Pulsed drain current | 2A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 220mW |
| Pd - Power Dissipation: | 220 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.2nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 36pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 610mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 610 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 540 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |