SI1032X-T1-GE3, SC-89-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017642121
- Артикул
- SI1032X-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.04
- Длина
- 1.6 mm
- Серия
- SI1
- Высота
- 0.8 mm
Цена по запросу
(от 62,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | SI1 |
| Высота | 0.8 mm |
| Корпус | SC-89 |
| Ширина | 0.85 mm |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 750pC@4.5V |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SC-89-3 |
| Continuous Drain Current (Id) | 200mA |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Другие названия товара № | SI1032X-GE3 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.17 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5Ω@200mA, 4.5V |