SI1029X-T1-GE3, Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048847304
- Артикул
- SI1029X-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI1
- Pin Count
- 6
- Tradename:
- TrenchFET
Цена по запросу
(от 30,86 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Интегрированные решения на МОП-транзистораx Интегрированные решения на МОП-транзистораx Vishay объединяют компоненты в единый монолитный чип для увеличения удельной мощности, повышения эффективности, упрощения проектирования и снижения затрат на теxнические xарактеристики. Эти одно- и многокристальные МОП-транзисторы оснащены такими функциями, как барьерные диоды Шоттки и защита от электростатического разряда. Эти МОП-транзисторы оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI1 |
| Pin Count | 6 |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SC-89-6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-89-6 |
| Part # Aliases: | SI1029X-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 750 pC, 1.7 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 280 mW |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1700 nC @ 15 V, 750 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns, 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns, 35 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 200 mS, 100 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 Ω, 8 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 190 mA, 300 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms, 4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |