N-Channel MOSFET, 305 mA, 60 V SOT-563F SI1026X-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030793583
- Артикул
- SI1026X-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI1
- Tradename:
- TrenchFET
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 117,04 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковая МОП-транзисторная матрица Vishay Semiconductor SC-89 (SOT-563F) для поверxностного монтажа, 2-канальная, 60 В, 305 мА, 250 МВт, не содержит галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI1 |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-563F |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SC896 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-89-6 |
| Part # Aliases: | SI1026X-GE3 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 600 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 280 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 200 mS |
| Maximum Continuous Drain Current | 305 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.305 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |