SI1024X-T1-GE3, 20V 485mA 250mW 700mOhm@4.5V,600mA 900mV@250uA 2 N-Channel SOT-563 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017594931
- Артикул
- SI1024X-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 34,81 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Dual N-Ch МОП-транзистор 20V 700 mohms @ 4.5V
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.06 |
| Серия | SI1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 1.2 |
| Package Height | 0.6(Max) |
| Package Length | 1.7(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SC-89 |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | 2 N-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SC |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 750pC@4.5V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Continuous Drain Current (Id) | 485mA |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250 |
| Qg - заряд затвора | 750 pC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 750@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±6 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.485 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 700@4.5V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 280 mW |
| Другие названия товара № | SI1024X-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 700 mOhms |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.485 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 700mΩ@4.5V, 600mA |