SI1023CX-T1-GE3, Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009089464
- Артикул
- SI1023CX-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.001
- Длина
- 1.66 mm
- Серия
- SI1
- Высота
- 0.6 mm
Цена по запросу
(от 77 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs SC89-6
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Длина | 1.66 mm |
| Серия | SI1 |
| Высота | 0.6 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Структура | P-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | полевая сборка |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SC-89-6 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.45 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.22 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.63 Ом |