Моя заявка (0)
SI1013CX-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017666987
Артикул
SI1013CX-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
SC89
EU RoHS
Compliant
Military
No
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 26,28 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseSC89
EU RoHSCompliant
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
TechnologyTrenchFET®
Вес, г0.03
Gate charge2.5nC
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
ConfigurationSingle
Drain current-450mA
Package Width0.95(Max)
Package Height0.8(Max)
Package Length1.7(Max)
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSC-89
Power dissipation0.19W
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±8V
On-state resistance1.5Ω
Drain-source voltage-20V
Pulsed drain current-1.5A
Standard Package NameSC
Typical Fall Time (ns)8
Typical Rise Time (ns)10
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)190
Typical Gate Charge @ 10V (nC)1.65
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)1.65@10V|1@2.5V
Maximum Gate Source Voltage (V)±8
Typical Turn-On Delay Time (ns)9
Maximum Drain Source Voltage (V)20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)10
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.45
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)45@10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)760@4.5V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В