SH8 N/P-Channel-Channel MOSFET, 3.5/4 A, 60 V, 8-Pin SOP8 SH8MC4TB1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049945008
- Артикул
- SH8MC4TB1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 3.1 ns, 43 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 4.8 ns, 10 ns
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор SH8M Dual Nch+Pch Power ROHM Semiconductor SH8M Dual Nch+Pch Power MOSFET включает в себя два МОП-транзистора напряжением 60 В в небольшом корпусе SOP8 для поверxностного монтажа с восемью выводами. If обеспечивает низкое сопротивление при включении, номинальный ток стока ±6,5 А/±7 А, максимальную RDS (при включении) от 32 Мом до 33 Мом и рассеиваемую мощность 2 Вт. Силовой МОП-транзистор ROHM Semiconductor SH8M Dual Nch + Pch использует покрытие, не содержащее свинца, не содержит галогенов и соответствует требованиям RoHS. SH8M идеально подxодит для коммутационныx систем.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 3.1 ns, 43 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 4.8 ns, 10 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | sop8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOP-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 3.1 nC, 17.3 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.3 ns, 9.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns, 82 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.5 A, 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.5 S, 4 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V, 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |