SH8MB N/P-Channel MOSFET, 8.5 A, 40 V, 8-Pin SOP SH8MB5TB1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014578420
- Артикул
- SH8MB5TB1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series
- SH8MB
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 4.5 ns, 74 ns
Цена по запросу
(от 223,65 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия RHOM SH8MB5 - это МОП-транзисторы с низким сопротивлением, которые идеально подxодят для коммутации. Компактный корпус для поверxностного монтажа (SOP8) способствует экономии места.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series | SH8MB |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 4.5 ns, 74 ns |
| Rise Time: | 6.3 ns, 45 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOP-8 |
| Part # Aliases: | SH8MB5 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.6 nC, 51 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Power Dissipation N Channel | 2Вт |
| Power Dissipation P Channel | 2Вт |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.5 ns, 14 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns, 130 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.5 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.016 O, 0.019 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19.4 mOhms, 16.8 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0149Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0149Ом |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOP |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 8.5А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 8.5А |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 40В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 40В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0149 Ом |