SH8MA3TB1, Dual MOSFET, N and P Channel, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013238224
- Артикул
- SH8MA3TB1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 5.7 ns, 20 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 8 ns, 12 ns
Цена по запросу
(от 167 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 5.7 ns, 20 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 8 ns, 12 ns |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOP-8 |
| Part # Aliases: | SH8MA3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.2 nC, 10 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 2.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.2 ns, 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns, 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A, 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.023 Ом |