SH8MA2GZETB, MOSFETs Transistor, 30V Nch+Pch Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005509025
- Артикул
- SH8MA2GZETB
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 87,56 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V N&P-CHANNEL
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.5 ns, 8.5 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOP-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 3 nC, 6.7 nC |
| Время нарастания | 7.5 ns, 8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.7 W |
| Другие названия товара № | SH8MA2 |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms, 82 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns, 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns, 7.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |