SH8M24GZETB, MOSFETs Transistor, 4V Drive Nch+Pch MOSFET - halogen free
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006257727
- Артикул
- SH8M24GZETB
- Бренд
- Rohm
- Width
- 4.05mm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series
- SH8M24GZE
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 149,02 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Width | 4.05mm |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series | SH8M24GZE |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 12 ns, 14 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 18 ns, 17 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOP-8 |
| Part # Aliases: | SH8M24 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.8 nC, 13 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 5 V(P Channel), 6.8 nC @ 5 V(N Channel) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns, 16 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 45 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns, 70 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5(N Channel)V, 2.5(P Channel)V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1(N Channel)V, 1(P Channel)V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 92 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 46 mOhms, 63 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |