Моя заявка (0)

SH8KE7TB1, MOSFETs Transistor, 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

SH8KE7TB1, MOSFETs Transistor, 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025005752
Артикул
SH8KE7TB1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
18 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
22 ns
Цена по запросу
(от 240,28 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:18 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:22 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsop8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:SOP-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:19.8 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:44 ns
Id - Continuous Drain Current:8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:7.1 S
Rds On - Drain-Source Resistance:20.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В