SH8KA1GZETB, MOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062800481
- Артикул
- SH8KA1GZETB
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.09
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 380 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V N-CHANNEL DUAL
Технические параметры
| Вес, г | 0.09 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3.5 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOP-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 3 nC |
| Время нарастания | 7.5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.7 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |