SH8K52GZETB, MOSFETs Transistor, 100V Nch+Nch Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004638681
- Артикул
- SH8K52GZETB
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 139,22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V NCH+NCH POWER
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 14 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOP-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 8.5 nC |
| Время нарастания | 13 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Другие названия товара № | SH8K52 |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |