SH8K32GZETB, MOSFETs Transistor, 4V Drive Nch+Nch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005509022
- Артикул
- SH8K32GZETB
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 13 ns
- Rise Time:
- 18 ns
- Вес, г
- 0.08
Цена по запросу
(от 320 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOP-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SH8K32 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Структура | 2 N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 65 mOhms |