SH8J66TB1, Транзистор: P-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8052877165
- Артикул
- SH8J66TB1
- Бренд
- Rohm
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.16
- No. of Pins
- 8Pins
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 459,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 9 А 18.5mOhm@9A,10 В 2 Вт 2.5V@1mA P-канальные МОП-транзисторы SOP-8 ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.16 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Особенности | - |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 35nC@5V |
| Power Dissipation N Channel | 2W |
| Power Dissipation P Channel | 2W |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3nF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 9A |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 30V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 30V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 9A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 9A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0135ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0135ohm |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 18.5mΩ@9A, 10V |