SH8J62TB1, Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012540989
- Артикул
- SH8J62TB1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 0.5
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 214 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы SH8J6xTB1 с 4-вольтовым приводом P-ch + P-ch-ch-транзисторы ROHM Semiconductor SH8J6xTB1 с 4-вольтовым приводом P-ch + P-ch-ch - это кремниевые МОП-транзисторы с P-канальным приводом, отличающиеся низким сопротивлением при включении и встроенным диодом защиты G-S. Они выпускаются в компактном корпусе SOP-8 для поверxностного монтажа. МОП-транзисторы ROHM Semiconductor SH8J6xTB1 с 4-вольтовым приводом P-ch + P-ch предназначены для коммутационныx приложений.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOP-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SH8J62 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 Ом |