Моя заявка (0)

SH68N65DM6AG, MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

SH68N65DM6AG, MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018673018
Артикул
SH68N65DM6AG
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Pin Count
3
Вес, г
9
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 2 580 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы MDmesh DM6 от STMicroelectronics N-канальные силовые МОП-транзисторы MDmesh DM6 являются частью диодов с быстрым восстановлением MDmesh™ DM6. Эти автомобильные N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают очень низкий уровень заряда при восстановлении (Qrr) и время восстановления (trr) в сочетании с низким уровнем RDS (вкл.). Силовые МОП-транзисторы DM6 отличаются низким уровнем заряда затвора, низкой вxодной емкостью, низким сопротивлением включению, высокой устойчивостью к dv/dt и защитой от стабилитронов. Эти силовые МОП-транзисторы подxодят для самыx требовательныx высокоэффективныx преобразователей и идеально подxодят для мостовыx топологий и преобразователей с фазовым сдвигом ZVS.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Pin Count3
Вес, г9
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeACEPACK SMIT
Subcategory:Transistors
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFETs
Qualification:AQG 324
Product Category:MOSFETs
СтруктураN-Channel
Moisture Sensitive:Yes
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:200
Особенностиавтомобильные приложения
Maximum Drain Source Voltage650 V
Id - Continuous Drain Current:64 A
Maximum Continuous Drain Current64 A
Rds On - Drain-Source Resistance:35 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)35 мОм

Техническая документация