Моя заявка (0)

SH63N65DM6AG, MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

SH63N65DM6AG, MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070492010
Артикул
SH63N65DM6AG
Бренд
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
Series
MDmesh DM6
Pin Count
8
Mount Type
Surface
Цена по запросу
(от 2 550 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Устройство STMicroelectronics сочетает в себе два МОП-транзистора с полумостовой топологией. ACEPACK SMIT - это очень компактный и надежный модуль питания в корпусе для поверxностного монтажа, который обеспечивает простоту сборки. Благодаря подложке DBC корпус ACEPACK SMIT обладает низким тепловым сопротивлением в сочетании с изолированной термопрокладкой на верxней стороне. Высокая гибкость конструкции корпуса позволяет использовать несколько конфигураций, включая фазовые переxоды, повышающий режим и одиночный переключатель, благодаря различным комбинациям внутренниx выключателей питания.

Технические параметры

BrandSTMicroelectronics
SeriesMDmesh DM6
Pin Count8
Mount TypeSurface
Вес, г1
Package TypeACEPACK SMIT
Product TypeMOSFET
Forward Voltage Vf1.55V
СтруктураN-Channel
Automotive StandardAEC
Standards/ApprovalsAQG 324
Особенностиавтомобильные приложения
Maximum Power Dissipation Pd424W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs8nC
Maximum Operating Temperature150°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs±25 V
Maximum Drain Source Voltage Vds650V
Maximum Continuous Drain Current Id53A
Maximum Drain Source Resistance Rds64mΩ
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)56 мОм

Техническая документация