SED3080M, 30V 80A 83W 6.5m-@10V,25A 3V@250uA N Channel DFN-8(3x3) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015918102
- Артикул
- SED3080M
- Бренд
- SINO-IC
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.08
- Структура
- N-Channel
- Transistor Polarity
- N Channel
Цена по запросу
(от 22,52 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 80 А 83 Вт 6.5mOhm@10V,25A 3 В при 250 мкА N-канальные МОП-транзисторы DFN-8(3x3) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.08 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 83W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.5mО© @ 25A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 83W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 80A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 6.5mΩ@10V, 25A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.5mΩ@10V, 25A |