SED10070GG, 100V 70A 9.8m-@10V,39A 170W 4V@250uA N Channel DFN-8(5.7x5.1) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015844595
- Артикул
- SED10070GG
- Бренд
- SINO-IC
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 1.17
- Структура
- N-Channel
- Transistor Polarity
- N Channel
Цена по запросу
(от 70,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 1.17 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 170W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 70A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9.8mО© @ 39A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 170W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 70A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.8mΩ@10V, 39A |