Моя заявка (0)

SEBT818BA, 100nA 30V 1.2W 100@500mA,1V 3A 210mV@2A,20mA PNP +150-@(Tj) SOT-23-6 Bipolar Transistors - BJT

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015906910
Артикул
SEBT818BA
Бренд
SINO-IC
Вес, г
0.04
Корпус
SOT-23(TO-236)
Transistor Type
PNP
Структура
pnp
Цена по запросу
(от 8,98 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 1,2 Вт 100 при 500 мА, 1 В 3 А биполярные транзисторы PNP SOT-23-6L - BJT ROHS

Технические параметры

Вес, г0.04
КорпусSOT-23(TO-236)
Transistor TypePNP
Структураpnp
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)3A
Pd - Power Dissipation1.2W
Power Dissipation (Pd)1.2W
Transition Frequency (fT)-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@500mA, 1V
Maximum DC Collector Current3A
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage30V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)30V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)210mV@2A, 20mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3

Техническая документация