SEBT8050, 50nA 30V 625mW 100@50mA,1V 1.5A 120MHz 500mV@500mA,20mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015923421
- Артикул
- SEBT8050
- Бренд
- SINO-IC
- Вес, г
- 0.04
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 4,70 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 625 МВт, 100 при 50 мА, 1 В 1,5 А, биполярные транзисторы NPN SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Pd - Power Dissipation | 625mW |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@50mA, 1V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 20mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 120 |