SDM9926-VB, 20V 7.1A 19m-@4.5V,7.1A 2W 1.5V@250uA 2 N-Channel 9.5nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SO-8 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015848764
- Артикул
- SDM9926-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- 2 N-Channel
- Вес, г
- 0.14
- Корпус
- SO-8
- Структура
- 2 N-Channel
Цена по запросу
(от 91 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 7,1 А 19mOhm@4.5V, 7,1А 2 Вт 1.5V@250uA 2 N-канальныx МОП-транзистора SO-8 ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.14 |
| Корпус | SO-8 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9.5nC@4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 7.1A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ@4.5V, 7.1A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 19mΩ@4.5V, 7.1A |