SD2931-10W, RF MOSFET Transistors RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007173739
- Артикул
- SD2931-10W
- Бренд
- STMicroelectronics
- PPAP
- No
- Width
- 24.89mm
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Screw
Цена по запросу
(от 14 920 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Радиочастотные транзисторы LDMOS подxодят для спутниковыx линий связи L-диапазона, а силовые транзисторы DMOS - для применений в диапазоне от 1 МГц до 2 ГГц.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 24.89mm |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Screw |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Loose |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 10 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum VSWR | 10(Min) |
| Package Type | M174 |
| Configuration | Single Dual Source |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 12.83(Max) |
| Package Length | 24.89(Max) |
| Output Power (W) | 150(Min) |
| Supplier Package | Case M-174 |
| Maximum IDSS (uA) | 50 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | 175мгц 30вт |
| Maximum Frequency (MHz) | 230 |
| Typical Power Gain (dB) | 15 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 389 W |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 125 V |
| Typical Drain Efficiency (%) | 65 |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 389000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 125 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 20 |
| Typical Forward Transconductance (S) | 6 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 480@50V |
| Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 190@50V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 250 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 18@50V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |