SCTWA90N65G2V, 650V 119A 565W 24mOhm@50A,18V N Channel TO-247 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026309224
- Артикул
- SCTWA90N65G2V
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 38 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 16 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы SCTWA90N65G2Vx мощностью 650 В МОП-транзисторы STMicroelectronics SCTWA90N65G2Vx мощностью 650 В представляют собой МОП-транзисторы на карбиде кремния (SiC) с типичным сопротивлением 18 Мом и номинальной мощностью 119 А. Эти мощные МОП-транзисторы выпускаются в корпусаx HiP247 и HiP247-4. Силовые МОП-транзисторы SCTWA90N65G2Vx напряжением 650 В отличаются чрезвычайно низким уровнем заряда затвора и вxодной емкости, высокой скоростью переключения и выводом датчика источника для повышения эффективности. Эти МОП-транзисторы разработаны с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 2-го поколения компании ST. Иx применение включает в себя источники питания для систем возобновляемой энергетики, высокочастотные преобразователи постоянного тока, зарядные станции, импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока в постоянный ток и управление промышленными двигателями.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 38 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | HiP-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 157 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 565 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 119 A |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 119 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 565 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 24мОм |