SCTWA90N65G2V-4, 650V 119A 565W 24m-@50A,18V 5V@1mA N Channel 3380pF@400V 157nC@18V -55-~+200-@(Tj) TO-247-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015813829
- Артикул
- SCTWA90N65G2V-4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- SCTWA90N65G2V-4
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 6.08
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 8 500 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 на карбиде кремния был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 2-го поколения, отличается удивительно низким сопротивлением на единицу площади и очень xорошей производительностью переключения.
Технические параметры
| Series | SCTWA90N65G2V-4 |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 6.08 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HiP247-4 |
| Корпус | TO-247-3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.024 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 119 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 119 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 565 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |