SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA70N120G2V-4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014771929
- Артикул
- SCTWA70N120G2V-4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 12 370 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 2-го поколения компании ST.
Технические параметры
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HiP247-4 |
| Корпус | HiP247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.9V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.03 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 91 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 91 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |