SCTWA35N65G2V, 650V 45A 72m-@20A,20V 208W 3.2V@1mA N Channel 73000pF@400V 73nC@20V -55-~+175-@(Tj) TO-247-Long-Leads MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015794480
- Артикул
- SCTWA35N65G2V
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- SCTWA35N65G2V
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 8
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 2 510 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 650 V 45 A 75 mOhm
Технические параметры
| Series | SCTWA35N65G2V |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 8 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HiP247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | HiP-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.072 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 45 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 45 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |