SCTWA35N65G2V-4, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009256321
- Артикул
- SCTWA35N65G2V-4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.016
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 2 840 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 2-го поколения компании ST.
Технические параметры
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.016 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | HiP247-4 |
| Корпус | HiP247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 240Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.067 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.045Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 45 A |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 45А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HiP247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 45 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 240 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.045 Ом |