SCTWA30N120, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 34А, Idm: 90А, 270Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034463890
- Артикул
- SCTWA30N120
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- SCT
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 6.06
- Channel Mode
- Depletion
Цена по запросу
(от 7 330 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния изготовлен с использованием передовыx, инновационныx свойств материалов с широкой запрещенной зоной.
Технические параметры
| Series | SCT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.06 |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Package Type | HiP247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.09 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 45 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 270 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 34 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 270 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |