SCTWA20N120, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 16А, Idm: 45А, 175Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065894005
- Артикул
- SCTWA20N120
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- HIP247™
- Series
- SCT
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 4 030 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния изготовлен с использованием передовыx, инновационныx свойств материалов с широкой запрещенной зоной.
Технические параметры
| Case | HIP247™ |
| Series | SCT |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 6.07 |
| Gate charge | 45nC |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | HiP247 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 16A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 175W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| On-state resistance | 0.22Ω |
| Transistor Material | SiC |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 45A |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.189 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |