SCTW90N65G2V, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033518289
- Артикул
- SCTW90N65G2V
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- SCTW90N
- Fall Time:
- 16 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 9 410 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | SCTW90N |
| Fall Time: | 16 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 38 ns |
| Вес, г | 5.4 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | HiP-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 565W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 157 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 390 W |
| Continuous Drain Current | 119A |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |