SCTW60N120G2, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009478695
- Артикул
- SCTW60N120G2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.007
- Channel Type
- N
- Package Type
- HiP247
Цена по запросу
(от 4 420 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 2-го поколения компании ST.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.007 |
| Channel Type | N |
| Package Type | HiP247 |
| Корпус | HiP247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 388 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.035 Ом |