SCTW40N120G2VAG, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003187200
- Артикул
- SCTW40N120G2VAG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 4.5
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 290Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 4 760 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор из карбида кремния автомобильного класса STMicroelectronics был разработан с использованием передовой и инновационной теxнологии SiC-МОП-транзисторов 2-го поколения компании ST.
Технические параметры
| Вес, г | 4.5 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 290Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.075Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 33А |
| Рассеиваемая Мощность | 290Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.075Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.075 Ом |