SCTW35 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW35N65G2V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014530883
- Артикул
- SCTW35N65G2V
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- SCTW35
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 4 058,21 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics на карбиде кремния напряжением 650 В имеет номинальный ток 45 А и сопротивление стока к источнику 45 Мом.
Технические параметры
| Series | SCTW35 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HiP247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | HiP-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.045 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 45 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 55мОм |